中国EUV光刻机原型曝光或实现科技突破，挑战ASML技术垄断
时间：2025-12-30 22:00
小编：星品数码网
在全球半导体行业中，光刻机被视为核心设备，而极紫外光（EUV）光刻机更是制造先进芯片的关键工具。但长期以来，该技术几乎完全被荷兰公司ASML所垄断，其他国家难以追上其技术水平。最新消息显示，中国或在这一领域迎来重大突破，EUV光刻机原型的曝光或将撼动这一格局。
根据快科技的报道，中国EUV光刻机原型于2025年初在深圳某保密设施内组装完成，尺寸之大几乎覆盖了整个厂房。这一消息若属实，意味着中国在短短数年内掌握了原本可能需要几十年才能达到的技术水平，这是一次颠覆性的飞跃。
EUV光刻机的工作原理依赖于极紫外光的产生。ASML的技术依靠一种独特的LPP（激光塑性成型）原理。其过程是将直径约25-30微米的熔融锡液滴，以每秒约5万个的速度注入到真空腔体中。高功率的二氧化碳激光器发射低强度的预脉冲激光，使液滴变成扁平状，再通过更强的主脉冲激光将锡靶汽化，形成超过20万摄氏度的高温等离子体，发出各向同性的极紫外光，经过多层膜收集镜导入光刻机的反射光学系统，完成对硅晶圆的光刻成像。这一过程重复数万次，确保了光刻机的高效运作。
尽管中国的EUV光刻机原型已露面，但其具体性能指标仍然不为外界所知，尤其是光源功率的参数，直接关系到光刻机是否具备量产能力。其他核心部件如超高精度收集镜系统、照明光学系统和投影光学系统等的研发进展也仍然未知。这些零部件的技术难度极大，尤其是光刻机的复杂结构包括超过10万个零部件，逆向工程的挑战可想而知。
在技术攻关方面，有关团队中不乏业界精英。例如，曾负责ASML EUV光源技术的专业人士林楠，目前在中科院上海光学精密机械研究所带领团队研发，短短18个月间便申请了8项与EUV相关的专利。为了在研发过程中保持绝对的机密性，团队成员普遍使用假身份，以防止技术外泄。
业界对中国EUV光刻机的技术走向也有着不同的看法。一些分析师认为，团队的目标是在2028年内产出首批芯片原型，尽管外媒普遍认为这一时间节点更为保守，实际情况可能要到2030年才会成熟。
ASML对此表示关切，并指出想要重复他们的技术固然有理，但要付诸实践则面临巨大的挑战。技术的复制不仅要求具备相同的原材料和工艺流程，还需大量经验丰富的专业工程师协同攻关，难度之大一斑。ASML在光刻机设计和制造上的领先地位已经持续多年，拥有丰富的技术积累与市场经验，这些都是中国团队需要付出额外努力才能追赶的。
纵观整个全球半导体产业，芯片制造技术的竞争越发激烈。从后端封装到前端光刻，中国正处于产业链转型的关键期。随着更多企业和研发机构加入EUV领域的竞争，全球芯片制造的格局或将发生显著变化。假如中国的EUV光刻机真正量产，不仅能够满足国内市场的需求，还可能会影响全球芯片产业生态，打破ASML对高端光刻机市场的垄断。
走向成功的道路并非坦途，特别是在当前国际政治、经济紧张局势下，科技独立与自主创新显得尤为重要。中国在光刻机领域的突破与进步，将是其实现科技强国梦想的重要一步，也是为全球半导体产业注入新活力的重要尝试。未来，随着技术的成熟，中国有望在光刻机领域，乃至整个半导体产业中占据一席之地。
