铠侠在CFMS 2025存储峰会探讨闪存技术未来与市场趋势

在近日于深圳举行的CFMS | MemoryS 2025存储峰会上，铠侠株式会社的高管们聚焦于闪存行业的发展方向及市场趋势，探讨了当前闪存技术的最新进展和未来的潜在机遇。铠侠 CTO 柳茂知以及其他高层领导在会议中分享了他们对闪存技术的见解，并就公司在这一领域的发展战略进行了深入讨论。

闪存堆叠技术的未来

随着NAND闪存行业竞争日益激烈，各大厂家相继推出300层及以上的产品，堆叠层数的增加成为了闪存性能提升的关键因素。铠侠高管们指出，虽然市场上出现了300层以上的闪存，但大多数仍处于概念阶段，尚未实现量产。铠侠在技术上持谨慎态度，强调了堆叠层数与实际性能提升之间的微妙关系。

他们谈及铠侠的第八代BiCS8闪存，这款产品的堆叠层数达到218层，通过多层堆叠不仅提高了存储容量，还运用平面定标和双晶圆键合技术，显著提升了存储密度。这使得铠侠在成本上的竞争力得到了增强，同时伴随高速性能的提升，确保了在市场中的领先地位。

企业级存储解决方案的创新

会议中，铠侠还介绍了其最新发布的LC9系列SSD，该产品以122.88TB的超大容量稳居行业前列，支持PCIe 5.0 x4和NVMe 2.0接口。顺序读写速度达到12GB/s和3GB/s，非常适合读取密集型应用。这一创新解决方案表明铠侠在企业级存储产品中的坚定步伐。

铠侠的BiCS9和BiCS10系列闪存技术也在大会上得到了突出展示。BiCS9延续了之前的生产线设计，提高了资源复用率，降低了成本；而BiCS10则在存储阵列和CMOS制程方面均进行了升级，最高可达到332层堆叠，显著提升了存储密度和性能。这些技术进展使得铠侠在制造和效能上都具备了强大的市场竞争力。

面临技术挑战与市场趋势

铠侠的领导团队坦言，尽管增加堆叠层数有助于存储容量的提升，但技术难度和成本也随之上升。他们正在关注如何在保持性能和提升存储密度的同时，平衡堆叠、横向扩展和成本效益。铠侠计划在未来的闪存架构中追求更高的层数，目标在2030年前实现1000层的技术突破。

针对当前闪存技术的发展趋势，铠侠的BiCS9将定位于PCIe 6.0 SSD，而BiCS10则为未来的PCIe 6.0和PCIe 7.0 SSD做好了铺垫。其中，PCIe 6.0将带来64GT/s的传输带宽，预计在2023年发布的PCIe 7.0标准将进一步将这一数值翻倍，为数据中心、大数据应用提供更强大的带宽支持。

车载存储解决方案的崛起

在本次峰会上，铠侠还重点讨论了UFS嵌入式存储技术。这一新兴领域与手机、自动驾驶等应用场景息息相关。铠侠预测UFS 4.0将在未来快速普及，能够满足汽车检测和信息娱乐系统对数据存储的日益增长需求。同时，铠侠的技术创新将提升汽车的安全性和可靠性，推动智能驾驶的发展。

市场复苏的希望

铠侠对整体NAND闪存市场的前景持乐观态度。尽管当前PC和手机市场状态不及预期，但随着闪存厂商对产能的调整和行业客户股票水平的改善，市场供需平衡有望逐渐恢复。人工智能和大数据的存储需求正在持续增长，特别是在数据中心和企业市场中，AI训练与推理应用对闪存的需求将加速推动高性能、大容量SSD产品的开发。

，铠侠强调，在未来的存储技术发展中，创新和应对市场需求变化将是企业保持持续竞争力的关键。随着闪存技术的不断进步，铠侠将坚守在技术创新的前沿，推动整个行业向更高性能、更多功能的方向迈进。