SK海力士将DDR5内存芯片全面升级为6层EUV光刻工艺
时间：2025-08-12 03:20
小编：小世评选
在半导体行业，光刻技术的进步直接影响着芯片的性能和生产效率。近年来，随着技术的不断发展，极紫外光(EUV)光刻工艺逐渐成为高端芯片制造的一种主流选择。作为全球领先的存储解决方案提供商，SK海力士日前宣布，将其下一代DDR5内存芯片全面升级至6层EUV光刻工艺，这一举措标志着其在内存芯片领域的技术成熟和市场竞争力的进一步提升。
在过去的几年中，随着移动设备、云计算和人工智能等领域的快速发展，对存储芯片的性能和密度提出了更高的要求。如以往大部分存储芯片仍以深紫外光(DUV)工艺为主，而EUV光刻因其更短的波长(13.5nm)和更高的分辨率，使得半导体制造企业能够在更小的尺度上实现更高的集成度和更低的工艺复杂性。相比传统的多次光刻步骤，EUV光刻有望在单次光刻中完成多个功能的实现，极大简化生产流程。
早在2020年，三星就率先在内存芯片中应用EUV光刻，随后美光也步其后尘。这一过程中，SK海力士起初显得稍显保守，直到2021年才在其第四代10nm级工艺上采用了EUV光刻，但当时仅仅实施了一层EUV光刻。此次SK海力士的6层EUV光刻工艺全面应用标志着公司在这一领域的决心与进步，尤其是在DDR5内存芯片上。
尽管新一代DDR5内存芯片的颗粒仍然保持在16Gb，相较于更高的容量提升略显保守，但SK海力士的技术进步预示着内存技术的发展方向。针对更高容量和更强性能的需求，6层EUV工艺的应用将在未来为其提供更大的设计灵活性和生产效率。
SK海力士还在其高带宽内存(HBM)产品系列中计划广泛应用EUV光刻技术，以提高整体性能。在日益竞争激烈的市场环境中，SK海力士的这一战略意图表明，其希望以技术优势来部署市场，并进一步缩小与竞争对手三星的差距。
值得注意的是，SK海力士同时在下一代EUV光刻机——高数值孔径(High NA)EUV上进行巨额投资，这项技术的NA数值从当前的0.33提升至0.55，意在实现更高的光刻精度。但随着技术的进步，这种光刻机的成本也在不断上升，从之前的1.5亿至2亿美元飙升至4亿美元或更高。虽然投资风险加大，但潜在的回报也将是巨大的。
在全球存储市场不断变化的背景下，SK海力士在技术创新上的坚持和突破，必将推动行业的发展，并为其提供更多市场机遇。通过向6层EUV光刻工艺的转型，SK海力士将能够在提升产品性能的同时，减轻生产工艺上的负担，从而在未来的竞争中获得更多的优势。
SK海力士以实际行动展现了其在内存市场中的雄心，6层EUV光刻工艺的全面升级不仅将提升其DDR5内存芯片的竞争力，也将引领整个存储技术的发展方向。未来，随着技术的不断进步与创新，SK海力士有望继续引领行业潮流，为全球用户提供更高效、更强大的存储解决方案。
