SK海力士加码EUV光刻技术 发布新一代DDR5芯片
时间：2025-08-12 03:15
小编：小世评选
近年来，随着半导体技术的不断进步，光刻技术在芯片制造中扮演着越来越重要的角色。尤其是在摩尔定律的推动下，芯片技术不断向更小的工艺节点发展。尽管逻辑芯片已经在5nm节点中全面采用极紫外（EUV）光刻工艺，存储芯片领域却相对滞后，大多依然倚靠深紫外（DUV）光刻。SK海力士近期的宣布则标志着该公司在EUV技术应用上的显著进展。
在8月11日的最新消息中，SK海力士宣告新一代DDR5内存芯片将应用多达6层EUV光刻工艺。这一决策不仅展示了SK海力士在高端半导体制造技术上的雄心，也为全球半导体行业的竞争格局增添了新的变数。
EUV光刻技术以其仅有13.5nm的波长，显著优于传统DUV光刻，后者的波长则在193nm左右。得益于更短的波长，EUV光刻能够实现更高的光刻精度，从而提升芯片的存储密度和性能，同时简化生产工艺。这意味着，在某些情况下，内存芯片制造中以往需要多次光刻的步骤，有望通过EUV光刻技术在一次曝光中完成，这对DRAM内存芯片的提升尤为重要。
尽管三星在2020年已率先将EUV技术引入内存芯片，紧接着美光也迅速跟进，SK海力士则于2021年开始采用EUV光刻技术，但当时仅在第四代10nm级工艺上应用了一层EUV。这次SK海力士的6层EUV光刻变革，标志着在DRAM内存芯片制造上迈出了重大的一步。
值得注意的是，尽管新一代DDR5内存芯片在光刻工艺上全新改进，但首发产品的颗粒尺寸仍然是16Gb，相对保守，未在容量上进行过多追求。而这一决策很可能是为了确保工艺和性能在稳定状态下的持续改进，而不是盲目提升容量。
SK海力士对EUV光刻的信心不仅限于DDR5内存，未来其高带宽存储（HBM）系列芯片也将大规模采用EUV光刻工艺。这一举措不仅旨在提升产品性能，更希望借助先进的技术优势在市场竞争中取得领先，尤其是在与竞争对手三星的较量中意图尤为明显。
在技术研发方面，SK海力士还在新一代的EUV光刻机——高数值孔径（High NA）EUV光刻机上投入了大量资源。这款新设备的数值孔径从目前的0.33提升至0.55，将大幅提高光刻的精度。目前这类高NA EUV光刻机的价格也水涨船高，从此前的1.5亿至2亿美元，猛增至现在的4亿美元甚至更高，对厂商的投资能力和技术实力都提出了更大挑战。
SK海力士在EUV光刻技术上的布局，正迎合了半导体市场对高性能、高密度存储解决方案不断增加的需求。随着技术的不断进步与完善，SK海力士将可能在未来的竞争中，凭借其技术优势逐步取得市场份额的增长。同时，鄙视光刻技术的进步也预示着整个半导体行业将在技术创新的推动下，再次迎来新的发展机遇。
未来，SK海力士的技术攻势是否能够在存储芯片领域实现对市场主导权的抢占，值得我们持续关注。这不仅关乎SK海力士的未来发展，更将深刻影响整个半导体行业的生态格局。随着EUV光刻技术在DRAM内存及其他高端芯片领域的应用不断深化，不同厂商之间的技术博弈将愈发激烈，推动整个行业迈向更高的技术巅峰和市场竞争的白热化阶段。
