铠侠KIOXIA宣布开发超高性能AI固态硬盘 计划明年下半年出样
时间：2025-06-30 08:35
小编：小世评选
2023年6月6日，全球知名的NAND闪存制造商铠侠KIOXIA在其战略会议上透露了其面向未来的中长期增长战略。在此次会议上，铠侠KIOXIA重点讨论了如何在日益增长的人工智能（AI）应用需求下，通过研发超高性能的固态硬盘（SSD）来提升公司的市场竞争力和技术优势。
超高性能SSD的设计理念
铠侠KIOXIA正在开发一款特别设计的SSD，其目标是满足AI应用对存储设备在速度和性能方面日益严苛的要求。这款固态硬盘将结合公司的XL-FLASH高性能SLC NAND技术以及全新的固态硬盘主控设计，实现在随机读取操作中达到10M IOPS（每秒输入输出操作数）。这一性能是现有企业级TLC PCIe 5.0 SSD的三倍以上，后者目前的读写性能大约在3000+ K IOPS左右。如此高的性能指标，标志着铠侠在存储技术方面的一次重大突破，也为AI应用的数据处理提供了强有力的支持。
市场需求和产品发布计划
随着人工智能技术的快速发展，对存储设备的要求不断提高。AI应用需要实时处理大量数据，这就要求存储设备不仅具备高速的读写能力，还需要稳定的性能输出。铠侠KIOXIA的未来SSD产品正是基于这一市场需求而设计，预计将在2024年下半年完成样品的推出。这一时间安排的设定，显示出铠侠在技术研发和市场布局上的雄心，以及对AI领域高速增长市场的深刻洞察。
未来的存储产品发展规划
除了超高性能SSD，铠侠KIOXIA还透露了其他产品的研发计划。在介于存储金字塔中DRAM和普通NAND之间的SCM层级，铠侠计划于2026年下半年推出支持CXL（Compute Express Link）的XL-FLASH存储产品。这一产品将进一步增强数据传输效率，并为AI和高性能计算领域提供更为灵活的存储解决方案。
铠侠还与南亚科技共同开发了一种创新的4F2布局的氧化物半导体（IGZO）通道晶体管DRAM内存OLCTRAM。该技术有望降低漏电流，显著降低功耗，从而为更多的应用场景提供支持，尤其是在移动设备和绿色计算方面。
技术创新与未来展望
铠侠KIOXIA在此次战略会议上分享了其未来NAND闪存的技术路线图，承诺在读取延迟、写入功耗和比特密度等多个方面进行持续改进。这一系列技术创新的实施，不仅提高了产品的市场竞争力，更为存储技术的发展开辟了新的路径。
随着数据中心和云计算市场的不断扩大，存储技术的演进将直接影响到整个行业的效率和应用能力。铠侠KIOXIA的超高性能SSD将为AI计算、数据分析以及大数据处理等领域提供更为坚实的基础设施支持。
铠侠KIOXIA近期的公告引发了业界的广泛关注。超高性能AI固态硬盘的开发计划，不仅彰显了铠侠在存储领域的技术实力与创新能力，也体现了其参与未来数字经济变革的决心与愿景。随着市场对AI技术需求的不断提升，铠侠KIOXIA将有可能在未来的存储市场上占据更加重要的地位。期待在2024年下半年能够看到其首款超高性能SSD的真实面貌，以及它为计算技术带来的深远影响。
