SK海力士在2025年IEEE VLSI研讨会发布新DRAM技术路线图
时间：2025-06-23 21:40
小编：小世评选
2025年6月10日，全球半导体行业的顶尖盛会——IEEE VLSI研讨会在日本东京拉开帷幕。在此次会议上，SK海力士展示了其在未来30年中的新一代DRAM技术路线图及其可持续创新方向，吸引了行业广泛的关注。
DRAM技术的挑战与机遇
随着人工智能、5G通信、边缘计算等新兴技术的迅速发展，内存需求正在以指数级增长。SK海力士的首席技术官Cha Seon Yong指出，尽管现有DRAM技术在性能和容量上取得了不小的成就，但随着技术的成熟，进一步提升其性能与容量面临着越来越大的挑战。特别是在提升集成度的同时保持低功耗，这一需求对传统技术提出了更高的要求。
4F2 VG的创新
在此次演讲中，Cha Seon Yong详细介绍了SK海力士未来将采用的4F2 VG与3D DRAM技术。这一创新设计的核心在于将传统平面栅极结构转变为垂直方向的设计，从而有效减少每个数据存储单元的面积占用，提高DRAM的集成度。这一方式不仅能够提升存储器的速度与效率，还能在能耗上带来显著的优化。
具体而言，4F2 VG DRAM与NAND闪存技术的混合键合方式将被引入，以期实现传统DRAM技术无法达成的高集成度。这种结构的设计，允许单个内存单元的逻辑电路更加紧凑，从而为未来的内存产品释放更多的空间，实现更多的存储功能。
3D DRAM的未来
关于3D DRAM，Cha Seon Yong表示，尽管目前普遍存在对其制造成本上升的担忧，但SK海力士坚信，通过持续的技术创新与优化流程，这一问题是可以得到克服的。他提到，增加堆叠层数虽然会直接影响成本，但通过更有效的制造技术、材料选择和质量控制，能够显著降低生产成本并提升产品竞争力。
SK海力士对新材料的探索与应用，将为未来的3D DRAM带来更广阔的发展空间。例如，利用新型绝缘材料和导电材料，将进一步改善内存的电学性能与热学特性，进一步提升器件的整体表现。
绿色可持续发展
在推动技术创新的同时，SK海力士也将可持续发展视为其未来发展的核心议题之一。随着全球对节能减排的要求不断提高，半导体行业也面临着更为严峻的环保挑战。Cha Seon Yong强调，技术进步应该与环保相结合，SK海力士在新产品的开发过程中，将致力于减少资源消耗和废物排放。
例如，优化制造工艺，提高能源使用效率，不仅可以降低生产成本，也能在生产流程中减少对环境的影响。SK海力士计划在DRAM技术的研发中引入更多的绿色材料和可回收设计，以此响应全球可持续发展的战略目标。
未来展望
在演讲的，Cha Seon Yong表达了对行情和技术演进的乐观态度。他指出，未来的内存市场依然充满潜力，各种新兴应用场景将不断推动内存技术的进步，而SK海力士将始终站在研发的最前沿，持续引领行业的发展潮流。
SK海力士提出的新DRAM技术路线图展示了公司对未来30年的战略布局，不仅在技术创新和产品提升方面具有深远的影响，同时也体现了企业对可持续发展的重视。随着这些新技术的逐步实现，SK海力士将在未来竞争中继续巩固其市场领导地位。
