英特尔新CEO陈立武发布晶圆代工进展，首个14A节点计划2027年到来

在今天于美国加州圣何塞举行的“Intel Foundry Direct Connect 2025”活动上，英特尔新任CEO陈立武向业界全面介绍了公司在晶圆代工业务上的最新进展。这一活动吸引了众多行业专家、客户及合作伙伴的参与，标志着英特尔在晶圆代工领域战略转型的重要时刻。

陈立武在活动中透露，英特尔正在与多个主要客户积极接触，以便推进即将推出的新一代18A工艺节点。他指出，这些新芯片将搭载公司最新的“PowerDirect”背面电源传输技术，该技术旨在提升芯片的效率与性能。这一发布不仅展示了英特尔在芯片制造工艺上的创新能力，还体现了其致力于满足客户需求的决心。

英特尔的14A节点技术方案同样备受期待。根据陈立武的介绍，预计这一工艺将在2027年问世，并将成为行业首个应用High-NA EUV（极紫外光刻）技术的制程节点。这意味着英特尔将有能力在未来的制造生态中，提供更小、更高效的芯片，这对于满足不断增长的计算需求至关重要。相比之下，台积电计划在2028年推出的A14工艺预计不会在生产中使用相同的High-NA技术，显示出英特尔在高端制造工艺上的竞争优势。

除14A节点外，陈立武还透露，英特尔的关键18A节点目前正在进行风险生产阶段，并且相关的18A-P（18A节点的性能版本）工艺也已开始在晶圆厂运行，早期晶圆的投产工作也已经展开。这些进展显示出英特尔在技术开发和制造实施上的积极态度，以及在行业中逐步重塑自身地位的努力。

在谈及先进封装技术时，陈立武强调了Foveros Direct 3D技术的重要性。该技术利用混合键合互连方式，能够在英特尔的高端节点上实现更高的集成度。这一创新在互连密度测量上与台积电的产品相当，为英特尔在先进封装领域的竞争力打下了基础。Foveros技术的应用，使得系统级集成服务成为可能，这对于满足日益复杂的芯片需求具有重要意义。

值得一提的是，在当前成熟节点的开发进程中，英特尔晶圆厂已经开始与联电合作，研发12nm制造节点，以满足市场对更成熟工艺的需求。根据英特尔官方的最新路线图，除了14A节点外，英特尔也在逐步推进14A-E工艺的建设与实施，为未来的产品发展创造更丰富的选择。

从制造能力的角度来看，陈立武提到，英特尔在俄勒冈州的工厂正积极推进18A工艺的大规模生产。同时，亚利桑那州的制造设施也计划在今年晚些时候扩大，以满足市场需求。这种制造能力的提升，不仅能够增强英特尔的生产能力，还将为公司在晶圆代工市场的竞争提供必要的技术基础和资源支持。

在回应行业对先进封装的需求时，英特尔代工部门还计划推出一系列新的技术，包括支持高带宽内存需求的EMIB-T，以及Foveros 3D先进封装技术的Foveros-R和Foveros-B变体。这些产品的发布将为客户提供更加多样化和灵活的选择，进一步推动行业技术的发展。

英特尔在晶圆代工领域的最新进展显示出公司在激烈的市场竞争中，致力于通过创新与合作来实现自我超越。通过有效的技术路线图和制造能力的提升，英特尔正逐步走向晶圆代工市场的前沿。随着14A工艺节点的逐步实施及未来技术的不断推出，英特尔将在下一阶段的技术竞争中扮演日益重要的角色。