英特尔发布EMIB-T技术，推动2025年先进封装进展
时间：2025-05-21 23:25
小编：小世评选
在信息技术行业不断发展的背景下，英特尔于2025年通过其代工大会发布了一项新的技术进展：EMIB-T。这一新技术基于其先前的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术，同时对其进行了优化，旨在提高芯片封装的性能和集成度。
EMIB技术采用了一种先进的2.5D封装结构，这种结构能有效地将多个芯片组件整合在一起，而不需要传统的3D封装方式所需的复杂通道。这一模式的创新之处在于，它通过在硅基板中使用微小的桥接结构，实现了不同芯片之间的高效连接，显著降低了电流与电压之间的噪声。
新的EMIB-T版本，顾名思义，T代表“TSV”（硅通孔），该技术的引入使得EMIB在数据传输方面更加高效。相较于传统方案，EMIB-T设计上避免了“绕路”传输的需求，这意味着在数据传输过程中信号的衰减与干扰都得到了有效控制。因此，EMIB-T的应用可以帮助实际运算中获得更低的直流和交流电噪声，这对于高频信号的稳定传输尤为重要。
在英特尔的演示中，除了EMIB-T，新型封装还包括Foveros-R和Foveros-B，这两款封装采用了RDL（重布线层）和桥片（Bridge）技术。这将使英特尔能够更灵活地组合不同的芯片，满足日益增长的市场需求，特别是在高带宽存储（HBM4）和统一芯片互连体验（UCIe）等领域。
对于英特尔EMIB-T不仅仅是一个技术进步，它还意味着公司在先进封装解决方案方面的领导地位得以巩固。同时，英特尔清楚，这一过程并不需要进行重大的重新设计，这为客户和合作伙伴带来了便捷，避免了资源和时间上的浪费。用户可以更快速地将新的封装技术应用于他们的产品，提升市场竞争力。
展望未来，英特尔在会议上表现出了对EMIB技术进一步发展的雄心。公司预计到2026年，可以通过超过20个EMIB桥实现120 mm x 120 mm的总封装尺寸，并集成12个HBM内存堆栈。而到2028年，这一尺寸将进一步扩展至120 mm x 180 mm，支持的HBM数量将超过24个。这些发展标志着英特尔在高性能计算和数据中心领域的持续进步，将推动新一代计算的诞生。
英特尔的EMIB-T技术是公司在先进封装技术领域的重要里程碑。随着科技的进步，对更高速度、更低功耗和更高可靠性的需求将不断上升。EMIB-T的推出，正是应对这一挑战的一种解决方案，实现了芯片组件在面积、性能和资源的最优化配置。结合人们对云计算、人工智能及高性能计算的需求不断增长，英特尔将在未来的竞争中占据优势地位。
EMIB-T的另一个显著优势在于其灵活性。现代计算系统日益复杂，制造商们需要一种可扩展且适应性强的封装解决方案。EMIB-T提供的高集成度，使得系统架构设计能够更为简化，进而降低成本和时间。同时，英特尔对于未来技术的清晰愿景，预示着其将继续引领行业的发展，为客户提供令人满意的解决方案。
在追求技术创新的道路上，EMIB-T将帮助英特尔在激烈的市场竞争中保持领先，而这一切都将促进更快的科技进步以及高性能计算的应用落地。无论在数据中心、云计算还是边缘计算领域，EMIB-T都有着广阔的应用前景，激励着相关技术的持续演进。
